
Кремний и SiC > Полупроводниковые пластины
В полупроводниковой индустрии предъявляются строгие требования к размерной стабильности и допустимому разбросу по толщине пластин из кремния и карбида кремния. Эти параметры напрямую влияют на выход годных изделий для интегральных микросхем и силовой электроники. Наш алмазно-канатный станок осуществляет раскрой кристаллов кремния и SiC канатом 0,35–0,6 мм с заданной скоростью подачи. Влажная резка поддерживает оптимальную температуру заготовки, снижая тепловые напряжения. ЧПУ с множеством осей обеспечивает высокую параллельность пластин, а также равномерность толщины и шероховатость поверхности, подходящую для последующей обработки. Эти преимущества дают высокий выход годной продукции, снижают потери материала по сравнению со шламовыми методами и ускоряют производственные циклы. Производители получают ощутимые преимущества в себестоимости при самом строгом соблюдении технических параметров для полупроводниковых приборов и силовой электроники.

















English
中文
Italian
Türkçe
Português
Español
Deutsch
العربية
Tiếng Việt
Français
Русский
한국어
